Evaluation of Leakage Current and Leakage Path of Gate-Insulating Layer Used in Organic Thin-Film Transistors under Mechanical Loading
Evaluation of Leakage Current and Leakage Path of Gate-Insulating Layer Used in Organic Thin-Film Transistors under Mechanical Loading
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机械负载下有机薄膜晶体管栅极绝缘层的漏电流和漏路径评估
DOI：
10.5104/jiep.jiep-d-21-00015
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
日髙功二，小金丸正明，関根智仁，宍戸信之，神谷庄司，三成剛生，池田徹，時任静士
中科院分区：
文献类型：
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作者：
島村佳伸;林卓矢;宮崎陸;東郷敬一郎;藤井朋之;日髙功二，小金丸正明，関根智仁，宍戸信之，神谷庄司，三成剛生，池田徹，時任静士
