III-V/SOIハイブリッドデバイスのSi導波路結合器部のテーパ先端幅許容度向上に向けた検討
III-V/SOIハイブリッドデバイスのSi導波路結合器部のテーパ先端幅許容度向上に向けた検討
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提高III-V/SOI混合器件硅波导耦合器部分锥尖宽度公差的研究
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
鈴木 純一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zhang;H.;新津葵一;鈴木 純一
