Impact of Attractive Ion in Undoped Channel on the Characteristics of Nanoscale Multi-Gate FETs : A 3D NEGF Study
Impact of Attractive Ion in Undoped Channel on the Characteristics of Nanoscale Multi-Gate FETs : A 3D NEGF Study
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未掺杂沟道中吸引离子对纳米级多栅极 FET 特性的影响：3D NEGF 研究
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Kamakura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
I.Tsuchida;Atsushi Ogura;他;Y.Kamakura
