電流検出ESRによる C面4H-SiC MOSFET界面欠陥からの水素脱離の観察
電流検出ESRによる C面4H-SiC MOSFET界面欠陥からの水素脱離の観察
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使用电流检测 ESR 观察 C 面 4H-SiC MOSFET 界面缺陷的氢脱附
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大島武
中科院分区：
文献类型：
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作者：
荒井亮;梅田享英;佐藤嘉洋;岡本光央;原田信介;小杉亮治;奥村元;牧野高紘;大島武
