Investigation of the etching process for Pt gate electrode on the ferroelectric property of 5 nm thick nondoped HfO2 thin films
Investigation of the etching process for Pt gate electrode on the ferroelectric property of 5 nm thick nondoped HfO2 thin films
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Pt栅电极刻蚀工艺对5 nm厚非掺杂HfO2薄膜铁电性能的影响
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Shun-ichiro Ohmi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Joong-Won Shin;Masakazu Tanuma;and Shun-ichiro Ohmi
