H.Fujikura: "Control of Dot Size and Tunneling Barrier Profile in In_<0.53>Ga_<0.47>As Coupled Quantum Wire-Dot Structures Grown by Selective Molecular Beam Epitaxy on Patterned Substrates"Japanese Journal of Applied Physics. 38. 421-424 (1999)
H.Fujikura: "Control of Dot Size and Tunneling Barrier Profile in In_<0.53>Ga_<0.47>As Coupled Quantum Wire-Dot Structures Grown by Selective Molecular Beam Epitaxy on Patterned Substrates"Japanese Journal of Applied Physics. 38. 421-424 (1999)
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H.Fujikura：“通过选择性分子束外延在图案化基板上生长的In_<0.53>Ga_<0.47>As耦合量子线点结构中点尺寸和隧道势垒轮廓的控制”日本应用物理学杂志。
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