微傾斜Si(111)基板上3C-SiC(111)薄膜の断面TEM評価
微傾斜Si(111)基板上3C-SiC(111)薄膜の断面TEM評価
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稍微倾斜的 Si(111) 衬底上 3C-SiC(111) 薄膜的横截面 TEM 评估
DOI:
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发表时间:
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期刊:
影响因子:
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通讯作者:
末光 眞希
中科院分区:
文献类型:
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作者:
原本 直樹;長澤 弘幸;伊藤 俊;吹留 博一;末光 眞希