Laterally defined freely suspended quantum dots in GaAs/AlGaAs heterostructures
Laterally defined freely suspended quantum dots in GaAs/AlGaAs heterostructures
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GaAs/AlGaAs 异质结构中横向定义的自由悬浮量子点
DOI：
10.1088/0957-4484/19/16/165201
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
3.5
通讯作者：
S. Ludwig
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
C. Rossler;M. Bichler;D. Schuh;W. Wegscheider;S. Ludwig
包含二维电子系统的独立梁由 GaAs/AlGaAs 异质结构形成。量子点接触和（双）量子点是使用金属顶栅横向定义的。我们通过传输光谱研究这些纳米结构的电子特性。自由悬浮纳米结构中的可调谐局域电子态是研究电子-声子相互作用的有前途的工具。
Free-standing beams containing a two-dimensional electron system are shaped from a GaAs/AlGaAs heterostructure. Quantum point contacts and (double) quantum dots are laterally defined using metal top gates. We investigate the electronic properties of these nanostructures by transport spectroscopy. Tunable localized electron states in freely suspended nanostructures are a promising tool to investigate the electron–phonon interaction.