Piezoelectricity in Poled Ge-Doped Silica Thin Films

Piezoelectricity in Poled Ge-Doped Silica Thin Films
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极化掺锗二氧化硅薄膜中的压电性

DOI:
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发表时间:
2003
期刊:
Jpn. J. Appl. Phys. Vol.42
影响因子:
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通讯作者:
S.Noge
S.Noge
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
T.Uno;S.Noge

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