HIGH BREAKDOWN VOLTAGE SCHOTTKY-BARRIER DIODE USING P(+)-POLYCRYSTALLINE SILICON DIFFUSED GUARD RING
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE SCHOTTKY-BARRIER DIODE USING P(+)-POLYCRYSTALLINE SILICON DIFFUSED GUARD RING
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DOI：
10.1049/el:19951315
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发表时间：
1995-10-26
影响因子：
1.1
通讯作者：
LEI, TF
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
LIOU, BW;LEE, CL;LEI, TF
提出了一种采用p(+)-多晶硅扩散保护环的肖特基二极管结构。该二极管具有接近理想的J-V特性，具有高反向击穿电压（148V）和低反向泄漏电流密度（8.4 μ a /cm(2)）。
A new Schottky diode structure which uses the p(+)-polycrystalline silicon (polysilicon) diffused guard ring is proposed. The diode gives nearly ideal J-V characteristics with a high reverse breakdown voltage (148V) and a low reverse leakage current density (8.4 mu A/cm(2)).