Impact of Ge Fraction Modulation upon Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure
Impact of Ge Fraction Modulation upon Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure
复制标题
Ge分数调制对Si/应变Si_<1-x>Ge_x/Si(100)异质结构空穴谐振隧道二极管电特性的影响
DOI：
--
复制
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J.Murota
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T.Seo、M.Sakuraba;J.Murota
