Nucleation and Growth of Voids in Silicon

Nucleation and Growth of Voids in Silicon
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硅中空洞的成核和生长

DOI:
10.1557/proc-490-77
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发表时间:
1997
期刊:
MRS Proceedings
影响因子:
--
通讯作者:
T. Tan
T. Tan
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
P. S. Plekhanov;U. Gösele;T. Tan

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