齋藤真澄: "Tunneling barrier structures in room-temperature operating silicon single-electron and single-hole transistors"Japanese Journal of Applied Physics. Vol.42, No.4B(未定). (2003)

齋藤真澄: "Tunneling barrier structures in room-temperature operating silicon single-electron and single-hole transistors"Japanese Journal of Applied Physics. Vol.42, No.4B(未定). (2003)
复制标题

Masumi Saito:“室温工作硅单电子和单孔晶体管中的隧道势垒结构”,日本应用物理学杂志,第 42 卷,第 4B 期(TBA)。

DOI:
--
复制
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
--
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:

文献摘要

相似文献