Refractive indices of wurtzite and zincblende GaN
Refractive indices of wurtzite and zincblende GaN
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纤锌矿和闪锌矿 GaN 的折射率
DOI：
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发表时间：
1993
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Drakin
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Lin;B. Sverdlov;S. Strite;H. Morkoç;A. Drakin
报道了用等离子体增强分子束外延生长的纤锌矿和锌锌矿CaN薄膜的折射率测量结果。对于双折射单轴纤锌矿GaN样品，沿c晶轴沿着测量折射率。在这个方向上，在3.4eV处的折射率为2.78。对于GaAs衬底上生长的立方GaN薄膜，在3.2eV处的折射率为2.91。基于III-V族氮化物的组合的优化波导的限制因子的估计指示用于激光操作的非常有利的值。
Refractive index measurements on both wurtzite and zincblende CaN films grown by plasma-enhanced molecular beam epitaxy are reported. For birefringent uniaxial wurtzite GaN samples the index of refraction was measured along the c crystalline axis. In this direction the index is 2.78 at 3.4eV. For cubic GaN films grown on GaAs substrates, the refractive index is 2.91 at 3.2eV. Estimation of the confinement factor for optimised waveguides based a combination of III–V nitrides indicates very favourable values for laser operation.