ナノロッド導入REBa2Cu3Oy薄膜における成膜条件に依存した局所的臨界電流密度分布
ナノロッド導入REBa2Cu3Oy薄膜における成膜条件に依存した局所的臨界電流密度分布
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引入纳米棒的 REBa2Cu3Oy 薄膜中局部临界电流密度分布取决于沉积条件
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
春田正和
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Sada;K. Yamamoto;H. Yang;D. Wang;and H. Nakashima;春田正和
