A MODEL OF CHARGE TRANSPORT IN THERMAL SIO2 IMPLANTED WITH SI
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DOI：
10.1016/0038-1101(90)90071-l
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发表时间：
1990-07-01
影响因子：
1.7
通讯作者：
ELLUL, JP
中科院分区：
文献类型：
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作者：
KALNITSKY, A;BOOTHROYD, AR;ELLUL, JP
