InGaAs/GaAs应变量子阱激光器线宽展宽因子的理论研究

InGaAs/GaAs应变量子阱激光器线宽展宽因子的理论研究
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DOI:
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发表时间:
2012
影响因子:
1
通讯作者:
刘国军
刘国军
中科院分区:
物理与天体物理4区
文献类型:
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作者:
高欣;曲轶;薄报学;刘国军

文献摘要

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