Extracting the Critical Breakdown Electrical Field of Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide From the Avalanche Breakdown of n-Indium-Gallium-Zinc-Oxide/p(+)-Nickel-Oxide Heterojunction Diode
Extracting the Critical Breakdown Electrical Field of Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide From the Avalanche Breakdown of n-Indium-Gallium-Zinc-Oxide/p(+)-Nickel-Oxide Heterojunction Diode
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从n-铟镓锌氧化物/p( )-镍氧化物异质结二极管的雪崩击穿中提取非晶铟镓锌氧化物的临界击穿电场
DOI：
10.1109/led.2020.2996242
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发表时间：
2020
影响因子：
4.9
通讯作者：
Kwok Hoi-Sing
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zhou Xi;a;Lu Lei;Wei Jin;Liu Yang;Wang Kai;Wong Man;Kwok Hoi-Sing
