Hole accumulation to polarization charges in relaxed AlGaN heterostructures with high AlN mole fractions
Hole accumulation to polarization charges in relaxed AlGaN heterostructures with high AlN mole fractions
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具有高 AlN 摩尔分数的松弛 AlGaN 异质结构中的空穴积累至极化电荷
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and H. Amano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Yasuda;T. Takeuchi;M. Iwaya;S. Kamiyama;I. Akasaki;and H. Amano
