Emissive Interface States in Organic Light-Emitting Diodes Based on Tris(8-hydroxyquinoline) Aluminum
Emissive Interface States in Organic Light-Emitting Diodes Based on Tris(8-hydroxyquinoline) Aluminum
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基于三(8-羟基喹啉)铝的有机发光二极管的发射界面态
DOI：
10.1143/jjap.47.464
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发表时间：
2008
影响因子：
1.5
通讯作者：
T. Morikawa
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Nakano;K. Noda;H. Fujikawa;T. Morikawa
用改进的深能级光谱法（DLOS）研究了氧化铟锡（ITO）/N，N '-二-1-萘基-N，N'-二苯基-1，1 '-联苯-4，4'-二胺（α-NPD）/三（8-羟基喹啉）铝（Alq 3）/LiF/Al有机电致发光器件（OLED）的发光界面态。空穴注入到OLED中后的DLOS显示，除了电荷载流子从α-NPD到Alq 3的带-带跃迁之外，在发射界面区域中位于Alq 3导带以下约1.77 eV处的离散陷阱能级。该显著的能级可以被激活作为电荷载流子的有效复合中心。此外，这种陷阱水平广泛分布到一个较低的能量与增加空穴注入率。因此，该能级可能归因于α-NPD/Alq 3发射界面处的本征陷阱态。因此，DLOS已被证明是一个强大的工具，在OLED的发射界面态的表征。
We have investigated emissive interface states in fabricated indium–tin-oxide (ITO)/N,N'-di-1-naphthyl-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'diamine (α-NPD)/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3)/LiF/Al organic light-emitting diodes (OLEDs) by modified deep-level optical spectroscopy (DLOS). DLOS after hole injection into the OLEDs revealed a discrete trap level located at ∼1.77 eV below the conduction band of Alq3 in the emissive interface region, in addition to the band-to-band transitions of charge carriers from α-NPD to Alq3. This pronounced level can be activated as an efficient recombination center of the charge carriers. Also, this trap level was extensively distributed to a lower energy with increasing hole injection rate. Therefore, this level is probably attributable to intrinsic trap states at the α-NPD/Alq3 emissive interface. Thus, DLOS has been proven to be a powerful tool for the characterization of emissive interface states in the OLEDs.
2 酶法合成脱氧直链淀粉链疏水性多糖
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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作者：
松尾 尚紀;金澤 有紘;青島 貞人;安部省吾 ・ 山 元 和哉 ・ 門川淳一
通讯作者：
安部省吾 ・ 山 元 和哉 ・ 門川淳一
使用独特的圆柱形溅射模块在有机层上形成低损伤的氧化铟锡以及透明有机发光二极管的应用
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys. 45
影响因子：
--
作者：
H.Yamamoto;T.Oyamada;W.Hale;S.Aoshima;H.Sasabe;C.Adachi
通讯作者：
C.Adachi