Electrical Characterizations of InGaAs Nanowire top-gate Field-effect-Transistors by using Selective-area MOVPE
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使用选择性区域 MOVPE 表征 InGaAs 纳米线顶栅场效应晶体管
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Fukui
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Noborisaka;T. Sato;J. Motohisa;S. Hara;K. Tomioka;T. Fukui
