SIMOX基板の埋め込み酸化膜をゲートに用いたSiGe p-MOSFETの電気特性
SIMOX基板の埋め込み酸化膜をゲートに用いたSiGe p-MOSFETの電気特性
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采用SIMOX衬底埋氧化膜作为栅极的SiGe p-MOSFET的电特性
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
藤永清久
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Keisuke Inoue;Mineo Kaneko;福島大貴;木村徹,馬哲旺,陳春平,穴田哲夫,小林禧夫;藤永清久
