ScSI: A New Exfoliatable Semiconductor
ScSI: A New Exfoliatable Semiconductor
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ScSI：新型可剥离半导体
DOI：
10.1021/acs.chemmater.2c00318
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发表时间：
2022
影响因子：
8.6
通讯作者：
McQueen, Tyrel M.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ferrenti, Austin M.;Siegler, Maxime A.;Gao, Shiyuan;Ng, Nicholas;McQueen, Tyrel M.
首次合成了硫碘化稀土（RESI）材料家族中缺失的一员--ScSI。ScSI晶体结构为FeOCl型，空间群为Pmmn（No.59），a= 3.8904（2），B= 5.0732（9），c= 8.9574（6）nm。高光谱反射率测量和从头算计算都支持存在2.0 eV的间接光学带隙。大块晶体被发现是很容易剥离，使其作为一种光学元件中的新型异质结构的使用。同时还探讨了嵌锂对其电子能带结构的影响。在所有已知的1：1：1碘化硫相，阳离子比例，和电子的考虑所观察到的结构趋势之间绘制了一个更广泛的相关性。该相的实现既填补了文献中的一个重要合成空白，又提出了一种新的可剥离相，可用作下一代异质结构器件中的光学元件。
ScSI, a missing member of the rare earth sulfoiodide (RESI) family of materials, has been synthesized for the first time. ScSI crystallizes in the FeOCl structure type, space groupPmmn(No. 59),a= 3.8904(2),b= 5.0732(9),c= 8.9574(6) Å. Both hyperspectral reflectance measurements and ab initio calculations support the presence of an indirect optical band gap of 2.0 eV. The bulk crystal is found to be readily exfoliatable, enabling its use as an optical component in novel heterostructures. The impact of lithium intercalation on its electronic band structure is also explored. A broader correlation is drawn between the observed structural trends in all known 1:1:1 sulfoiodide phases, cationic proportions, and electronic considerations. The realization of this phase both fills a significant synthetic gap in the literature and presents a novel exfoliatable phase for use as an optical component in next-generation heterostructure devices.