SiGe HBT 高频特性研究进展

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DOI:
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发表时间:
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期刊:
微电子学
影响因子:
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通讯作者:
高勇
高勇
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
刘静;武瑜;高勇

文献摘要

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