Threshold Voltage Engineering of Recessed MIS-Gate N-polar GaN HEMTs
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嵌入式 MIS 栅极 N 极 GaN HEMT 的阈值电压工程
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Matsuoka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Prasertsuk;T. Tanikawa;T. Kimura;S. Kuboya;T. Suemitsu;T. Matsuoka
