Temporal characterisation of silicon sensors on Timepix3 ASICs
Temporal characterisation of silicon sensors on Timepix3 ASICs
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Timepix3 ASIC 上硅传感器的时间特性
DOI：
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发表时间：
2021
影响因子：
1.3
通讯作者：
P. Tsopelas
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
E. Dall’Occo;K. Akiba;M. van Beuzekom;E. Buchanan;P. Collins;T. Evans;V. Franco Lima;R. Geertsema;H. Schindler;H. Snoek;P. Tsopelas
硅传感器凸点键合到Timepix3 ASIC的定时性能进行了研究，之前和之后的不同类型的照射高达8 × 1015 1 MeV的neq cm−2。传感器已经过测试，带电粒子束在两种不同的配置，垂直和几乎平行于入射光束。第二种方法，被称为掠射角法，被证明是一个强大的方法来调查不仅是电荷收集，而且作为深度的函数，在该电荷被释放的时间到阈值属性。
The timing performance of silicon sensors bump-bonded to Timepix3 ASICs is investigated, prior to and after different types of irradiation up to 8 × 1015 1 MeV neq cm−2. The sensors have been tested with a beam of charged particles in two different configurations, perpendicular to and almost parallel to the incident beam. The second approach, known as the grazing angles method, is shown to be a powerful method to investigate not only the charge collection, but also the time-to-threshold properties as a function of the depth at which the charges are liberated.
LHCb VELO Timepix3 望远镜
影响因子：
1.3
作者：
Akiba K
通讯作者：
Akiba K
LHCb VELO Timepix3 望远镜的计时性能
影响因子：
1.3
作者：
Heijhoff K
通讯作者：
Heijhoff K