Photon pair generation in hydrogenated amorphous silicon microring resonators.
Photon pair generation in hydrogenated amorphous silicon microring resonators.
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DOI：
10.1038/srep38908
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发表时间：
2016-12-20
影响因子：
4.6
通讯作者：
Thompson MG
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hemsley E;Bonneau D;Pelc J;Beausoleil R;O'Brien JL;Thompson MG
我们用连续波泵浦在a-Si：H微环中产生光子对，得到a-Si：H微环的克尔系数为3.73 ± 0.25 × 10− 17 m2/W。通过测量Q因子与耦合功率的关系，我们发现a-Si：H微环中的损耗与功率成线性关系，因此不能归因于双光子吸收。理论上比较了a-Si：H和c-Si微环对源，结果表明，a-Si：H样品的高克尔系数最适合于Q值低于103的微环，但对于高Q值器件，由于一阶损耗，光子对速率被大大抑制。
We generate photon pairs in a-Si:H microrings using a CW pump, and find the Kerr coefficient of a-Si:H to be 3.73 ± 0.25 × 10−17m2/W. By measuring the Q factor with coupled power we find that the loss in the a-Si:H micro-rings scales linearly with power, and therefore cannot originate from two photon absorption. Theoretically comparing a-Si:H and c-Si micro-ring pair sources, we show that the high Kerr coefficient of this sample of a-Si:H is best utilized for microrings with Q factors below 103, but that for higher Q factor devices the photon pair rate is greatly suppressed due to the first order loss.
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影响因子：
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作者：
Helt, L. G.;Yang, Zhenshan;Sipe, J. E.
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Agrawal, Govind P.