Dynamical simulation of SiO_2/4H-SiC interface on C-face oxidation process : from first principles
Dynamical simulation of SiO_2/4H-SiC interface on C-face oxidation process : from first principles
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C面氧化过程中SiO_2/4H-SiC界面的动态模拟：从第一原理开始
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Tsuchida
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Ohnuma;A. Miyashita;M. Iwasawa;M. Yoshikawa;H. Tsuchida
