イオン注入SiC基板の斜入射トポグラフィー局所ロッキングカーブ評価
イオン注入SiC基板の斜入射トポグラフィー局所ロッキングカーブ評価
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离子注入SiC衬底的斜入射形貌局部摇摆曲线评估
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高橋由美子，平野馨一;他
