Ultrafast relaxation process of photoexcited carriers in Er-doped GaAs

Ultrafast relaxation process of photoexcited carriers in Er-doped GaAs
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Er掺杂GaAs中光生载流子的超快弛豫过程

DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Extended Abstracts of the 25th Electronic Materials Symposium
影响因子：
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通讯作者：
S.Takemoto
S.Takemoto
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
吉田貴則;松浦祐司;K.Nakamura;S.Takemoto;K.Hidaka;S.Takemoto

文献摘要

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