A New JTE Technique for Vertical GaN Power Devices by Conductivity Control Using Boron Implantation into p-Type Layer
A New JTE Technique for Vertical GaN Power Devices by Conductivity Control Using Boron Implantation into p-Type Layer
复制标题
通过将硼注入 p 型层进行电导率控制的垂直 GaN 功率器件的新 JTE 技术
DOI：
10.23919/ispsd50666.2021.9452219
复制
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Harada Shinsuke
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Miura Yoshinao;Hirai Hirohisa;Nakajima Akira;Harada Shinsuke
DOI：
10.1049/(issn)2397-7264
发表时间：
2020
期刊：
Revista Brasileira de Medicina de Família e Comunidade
影响因子：
--
作者：
Chris Beck
通讯作者：
Chris Beck
影响因子：
4.9
作者：
Ohta, Hiroshi;Asai, Naomi;Mishima, Tomoyoshi
通讯作者：
Mishima, Tomoyoshi