Fabrication of GaAsBi laser diodes with 1.1-μm emission wavelength
Fabrication of GaAsBi laser diodes with 1.1-μm emission wavelength
复制标题
发射波长为 1.1μm 的 GaAsBi 激光二极管的制造
DOI：
--
复制
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H. Nishinaka
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Yoshimoto;R. Yoshioka;H. Kuruma;H. Nishinaka
