III-V based low power CMOS devices on Si platform
III-V based low power CMOS devices on Si platform
复制标题
Si 平台上基于 III-V 族的低功耗 CMOS 器件
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
C. Yokoyama and M. Takenaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Takagi;D.-H. Ahn;T. Gotow;M. Noguchi;K. Nishi;S.-H. Kim;M. Yokoyama;C.-Y. Chang;S.-H. Yoon;C. Yokoyama and M. Takenaka
