InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体光デバイスにおけるn側構造の電気特性解析
InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体光デバイスにおけるn側構造の電気特性解析
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InP衬底II-VI族半导体光器件n侧结构电学特性分析
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
野村一郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
小林穂貴;石井健太;前田慶治;野村一郎
