化学修飾によって制御されたSi(100)基板とF4-TCNQの相互作用・電子状態
化学修飾によって制御されたSi(100)基板とF4-TCNQの相互作用・電子状態
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化学修饰控制Si(100)基底与F4-TCNQ的相互作用和电子态
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
向井孝三
中科院分区：
文献类型：
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作者：
辻川雅人;他;向井孝三
