トンネルFET ベースCMOS回路のシングルイベント耐性
トンネルFET ベースCMOS回路のシングルイベント耐性
复制标题
基于隧道 FET 的 CMOS 电路的单粒子耐受性
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
呉 研
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Marek Schmidt;Ahmed Hammam;Manoharan Muruganathan;Shinichi Ogawa and Hiroshi Mizuta;呉 研
