High-temperature carrier dynamics responsible for a non-radiative process in InGaN nanodisks fabricated by top-down nanotechnology
High-temperature carrier dynamics responsible for a non-radiative process in InGaN nanodisks fabricated by top-down nanotechnology
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高温载流子动力学导致自上而下纳米技术制造的 InGaN 纳米盘中的非辐射过程
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Murayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Chen;T. Kiba;J. Takayama;A. Higo;T. Tanikawa;S. Samukawa;A. Murayama
