Radiation effects on hole drift mobility in polysilanes
Radiation effects on hole drift mobility in polysilanes
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辐射对聚硅烷中空穴漂移迁移率的影响
DOI：
10.1016/s0969-806x(95)00105-7
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发表时间：
1997
影响因子：
2.9
通讯作者：
S. Tagawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Seki;H. Shibata;Y. Yoshida;K. Ishigure;S. Tagawa
