H.Kobayashi: "Interface states for MOS devices with an ultrathin oxide layer" The Physics and Chomistry of SiO_2 and the Si-SiO_2 interface. 3. 497-508 (1996)
H.Kobayashi: "Interface states for MOS devices with an ultrathin oxide layer" The Physics and Chomistry of SiO_2 and the Si-SiO_2 interface. 3. 497-508 (1996)
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H.Kobayashi：“具有超薄氧化层的 MOS 器件的界面状态”SiO_2 和 Si-SiO_2 界面的物理和化学性质。
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