T.Ohmi: "Formation of Ultra-Shallow and Low-reverse-bias-current Tantalum-silicided Junctions Using a Si-Ea capsulated Silicidation Techniyus"Jpn.J.Appl.Phys.. 87. 4277-4283 (1998)
T.Ohmi: "Formation of Ultra-Shallow and Low-reverse-bias-current Tantalum-silicided Junctions Using a Si-Ea capsulated Silicidation Techniyus"Jpn.J.Appl.Phys.. 87. 4277-4283 (1998)
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T.Ohmi：“使用 Si-Ea 封装的硅化技术形成超浅和低反向偏压钽硅化结”Jpn.J.Appl.Phys.. 87. 4277-4283 (1998)
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