Effect of Dissolved O2 on Band Alignment at n-GaN/NaOH Interface
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溶解的 O2 对 n-GaN/NaOH 界面能带排列的影响
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yoshiaki Nakano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuki Imazeki,Supawan Ngamprapawat;Masahiro Sato;Katsushi Fujii;Tsutomu Minegishi;Masakazu Sugiyama;Yoshiaki Nakano
