Ge/Si量子ドット上へのSi選択成長と室温PL特性
Ge/Si量子ドット上へのSi選択成長と室温PL特性
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Ge/Si量子点上Si的选择性生长及室温PL特性
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
宮崎誠一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
藤森俊太郎;山田健太郎;永井僚;池田弥央;牧原克典;宮崎誠一
