Silicon-CMOS Compatible In-situ CCVD Grown Graphene Transistors with Ultra-high On/Off-Current Ratio
Silicon-CMOS Compatible In-situ CCVD Grown Graphene Transistors with Ultra-high On/Off-Current Ratio
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具有超高开/关电流比的硅-CMOS 兼容原位 CCVD 生长石墨烯晶体管
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
U. Schwalke
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Wessely;Frank Wessely;Emrah Birinci;K. Beckmann;Bernadette Riedinger;U. Schwalke
