Charge Multiplication Properties in Highly Irradiated Epitaxial Silicon Detectors
Charge Multiplication Properties in Highly Irradiated Epitaxial Silicon Detectors
复制标题
高辐照外延硅探测器中的电荷倍增特性
DOI：
10.22323/1.113.0025
复制
发表时间：
2011
影响因子：
1.4
通讯作者：
I. Mandić
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. Lange;J. Becker;E. Fretwurst;R. Klanner;G. Kramberger;G. Lindström;I. Mandić
Joˇzef Stefan研究所，卢布尔雅那，斯洛文尼亚电子邮件：joern.lange@desy.deCharge倍增(CM)发生在高度辐射损坏的硅传感器中，目前正在讨论作为一种选择，以克服未来超级大型强子对撞机最内部像素层中电荷载流子的强烈捕获。在这项工作中，我们研究了P。
Joˇzef Stefan Institute, Ljubljana, SloveniaE-mail: joern.lange@desy.deCharge multiplication (CM) occuring in highly radiation-damaged Si sensors is currently underdiscussion as an option to overcome the strong trapping of charge carriers in the innermost pixellayers of future Super-LHC detectors. In this work, CM was studied in p