電位pH図を利用した酸化物半導体薄膜形成プロセスの設計
電位pH図を利用した酸化物半導体薄膜形成プロセスの設計
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使用电位/pH图设计氧化物半导体薄膜形成工艺
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
八木俊介
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Kawamori;S. Yagi;and E. Matsubara;八木俊介
