Growth behavior of compound layers in Sn/Cu/Sn diffusion couples during annealing at 433 to 473 K
Growth behavior of compound layers in Sn/Cu/Sn diffusion couples during annealing at 433 to 473 K
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433 至 473 K 退火期间 Sn/Cu/Sn 扩散偶中化合物层的生长行为
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Kajihara et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Takenaka;M.Kajihara et al.
