Development of Ultra-Low Noise HEMTs for Cryoelectronics at ≤4.2 K
Development of Ultra-Low Noise HEMTs for Cryoelectronics at ≤4.2 K
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开发用于 ≤4.2 K 低温电子学的超低噪声 HEMT
DOI：
10.1007/s10909-008-9780-z
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发表时间：
2008
影响因子：
2
通讯作者：
Y. Jin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
E. Grémion;A. Cavanna;Y. Liang;U. Gennser;M. Cheng;M. Fesquet;G. Chardin;A. Benoȋt;Y. Jin
