AlN-GeO2 based gate stack for improved reliability of Ge MOSFETs
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DOI：
10.1016/j.mee.2015.04.081
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发表时间：
2015-11
影响因子：
2.3
通讯作者：
Hongfei Li;Yuzheng Guo;J. Robertson
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hongfei Li;Yuzheng Guo;J. Robertson
