BaSnO3 thin-film transistors with high field-effect mobility
BaSnO3 thin-film transistors with high field-effect mobility
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具有高场效应迁移率的BaSnO3薄膜晶体管
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Atsushi Tsukazaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kohei Fujiwara;Kazuki Nishihara;Junichi Shiogai;and Atsushi Tsukazaki
