Channel hot carrier induced volatile oxide traps responsible for random telegraph signals in submicron pMOSFETs
Channel hot carrier induced volatile oxide traps responsible for random telegraph signals in submicron pMOSFETs
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通道热载流子引起的挥发性氧化物陷阱负责亚微米 pMOSFET 中的随机电报信号
DOI：
10.1016/j.sse.2019.107745
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发表时间：
2020
影响因子：
1.7
通讯作者：
Z. Çelik
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Rouf;Z. Çelik
